納米粒度及Zeta電位儀通過激光器發(fā)射光束照射納米顆粒，顆粒的布朗運(yùn)動(dòng)導(dǎo)致散射光強(qiáng)度隨時(shí)間波動(dòng)。檢測(cè)器（如雪崩光電二極管）采集90°散射光信號(hào)，通過自相關(guān)函數(shù)分析光強(qiáng)波動(dòng)頻率，推導(dǎo)出顆粒的擴(kuò)散系數(shù)，再根據(jù)斯托克斯-愛因斯坦方程計(jì)算粒徑分布：

$d=\frac{kT}{3\pi \eta D}$d=3πηDkT
其中，$d$d為粒徑，$k$k為玻爾茲曼常數(shù)，$T$T為溫度，$\eta$η為溶液黏度，$D$D為擴(kuò)散系數(shù)部分儀器結(jié)合SLS技術(shù)，通過測(cè)量不同角度的散射光強(qiáng)度，進(jìn)一步驗(yàn)證顆粒尺寸及分子質(zhì)量。

二、Zeta電位測(cè)量原理

納米粒度及Zeta電位儀在電場(chǎng)作用下，帶電顆粒發(fā)生電泳遷移。儀器通過檢測(cè)顆粒的遷移速度（通常利用12°檢測(cè)器采集散射光信號(hào)），結(jié)合相位分析光散射技術(shù)（PALS）計(jì)算電泳遷移率，再通過亨利方程轉(zhuǎn)換為Zeta電位。

$\zeta =\frac{\mu \eta }{\epsilon ?f(}$$\frac{}{}$$\frac{\kappa a)}{}$ζ=ε?f(κa)μη
其中，$\zeta$ζ為Zeta電位，$\mu$μ為電泳遷移率，$\epsilon$ε為介電常數(shù)，$f(\kappa a)$f(κa)為亨利函數(shù)（與顆粒形狀和雙電層厚度相關(guān)）。

• Zeta電位反映顆粒表面剪切面的電勢(shì)差，其數(shù)值與膠體穩(wěn)定性直接相關(guān)：絕對(duì)值越高，體系越穩(wěn)定。

• 納米粒度分析儀是一種用于測(cè)量顆粒尺寸和分布的儀器，通常使用光學(xué)顯微鏡或電子顯微鏡進(jìn)行圖像采集，再通過專門的軟件進(jìn)行分析。

• 2. 使用步驟

• 1）將樣品放入分析儀中，并設(shè)置所需的參數(shù)。

• 2）進(jìn)行圖像采集，獲取樣品的顆粒圖像。

• 3）利用軟件進(jìn)行粒度分析，測(cè)量顆粒的大小、形狀、分布等參數(shù)。